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Großgerät

Atomlagenabscheidungssystem

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JKU - Johannes Kepler Universität Linz

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Open for Collaboration

Kurzbeschreibung

ALD beruht auf selbstlimitierenden Oberflächenreaktionen, die für eine Vielzahl von Anwendungen von Vorteil sind. Der Einsatz von Plasma ermöglicht verbesserte Schichteigenschaften, deren Kontrolle und eine breite Palette an möglichen Materialien. Die Flexibilität einzigartiger Oberflächenvorbehandlungen ermöglicht eine beschädigungsarme Verarbeitung.

Zusätzlich zu den Vorteilen der thermischen ALD ermöglicht PE-ALD eine größere Auswahl an chemischen Ausgangsstoffen mit verbesserter Schichtqualität:

- Plasma ermöglicht ALD-Prozesse bei niedrigen Temperaturen, und die entfernte Quelle sorgt für geringe Plasmaschäden
- Eliminiert die Notwendigkeit von Wasser als Precursor, wodurch die Spülzeiten zwischen ALD-Zyklen reduziert werden, insbesondere bei niedrigen Temperaturen
- Höhere Qualität der Schichten durch verbesserte Entfernung von Verunreinigungen, was zu geringerem Widerstand, höherer Dichte usw. führt
- Effektive Metallchemie durch Verwendung von Wasserstoffplasma
- Möglichkeit der Kontrolle der Stöchiometrie/Phase
- Geringere Verzögerung der Keimbildung
- Plasma-Oberflächenbehandlung

Ansprechperson

Univ.-Prof. Dr. Alberta Bonanni

Research Services

Das plasmaunterstützte Plasma-Atomdepositionssystem ermöglicht das kontrollierte Wachstum von (epitaktischen) Heterostrukturen. Diese Anlage ist für die Herstellung von III-Nitriden, (Nitrid-)Supraleitern und 2D-(van der Waals-)Materialien bestimmt. Die Anlage befindet sich in einer Reinraumumgebung, und sowohl eine umfassende Charakterisierung (strukturell, elektrisch, optisch, magnetisch, ...) der Schichten als auch ihre Strukturierung (Lithographie, Metallisierung, Ätzen) sind vor Ort möglich.

Methoden & Expertise zur Forschungsinfrastruktur

Das plasmaunterstützte Plasma-Atomdepositionssystem ermöglicht das kontrollierte Wachstum von (epitaktischen) Heterostrukturen. Diese Anlage ist für die Herstellung von III-Nitriden, (Nitrid-)Supraleitern und 2D-(van der Waals-)Materialien bestimmt. Die Anlage befindet sich in einer Reinraumumgebung, und sowohl eine umfassende Charakterisierung (strukturell, elektrisch, optisch, magnetisch, ...) der Schichten als auch ihre Strukturierung (Lithographie, Metallisierung, Ätzen) sind vor Ort möglich.

Nutzungsbedingungen

nach Vereinbarung

Kontakt

Univ.-Prof. Dr. Alberta Bonanni
Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik, Abteilung für Festkörperphysik
+43 732 2468 9664
alberta.bonanni@jku.at
https://www.jku.at/en/institute-of-semiconductor-and-solid-state-physics/research-divisions/solid-state-physics-division/

Standort

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