Short Description
PlasmaPro 100 Trockenätzanlage von Oxford Instruments mit induktiv gekoppelter Plasmaanregung (ICP). Die Anlage ist dezidiert für die Prozessierung von 100 mm Siliziumwafern mittels Deep Reactive Ion Etching (DRIE, sogenannte "Bosch-Prozesse") konfiguriert, mit den dafür üblichen Standard-Prozessgasen SF6, C4F8 und O2.
Contact Person
Dr. Stephan Kasemann
Research Services
Forschungspartner, Dienstleistung
Methods & Expertise for Research Infrastructure
Die Anlage ermöglicht das präzise Strukturieren von 100 mm Siliziumwafern mittels Deep Reactive Ion Etching (DRIE, "Bosch-") Prozessen. Sie ist Teil der im Forschungszentrum Mikrotechnik der FHV implementierten Prozesstechnologie zur Waferstrukturierung (Lithographie, Ätzen, Beschichten, Vereinzeln, Analytik).
Wenden Sie sich bitte an die angeführte Kontaktperson.