Short Description
PlasmaPro 80 Trockenätzanlage von Oxford Instruments mit kapazitiv gekoppelter Plasmaanregung (Parallel Plate Reactor). Die Anlage ist für Reactive Ion Etching (RIE) von Wafern und nicht-waferförmigen Substraten geeignet. Als Prozessgase zum Ätzen von Si und SiO2 stehen Ar, O2, SF6, CF4 und CHF3 zur Verfügung.
Contact Person
Dr. Stephan Kasemann
Research Services
Forschungspartner, Dienstleistung
Methods & Expertise for Research Infrastructure
Die Anlage ermöglicht die Prozessierung sowohl von Siliziumwafern bis 150 mm als auch von nicht-waferförmigen Substraten mittels Reactive Ion Etching (RIE). Es stehen Prozesse zum Ätzen von Si und SiO2 sowie zur O2-Plasmareinigung zur Verfügung. Die Anlage ist Teil der im Forschungszentrum Mikrotechnik der FHV implementierten Prozesstechnologie zur Waferstrukturierung (Lithographie, Ätzen, Beschichten, Vereinzeln, Analytik).