Kurzbeschreibung
Die ThermoFisher SCIOS 2 Dual-Beam FIB ist eine Kombination aus hochauflösendem Rasterelektronenmikroskop und Focused-Ion-Beam Gerät. Mittels fokussiertem Ga-Ionenstrahl kann die Probenoberfläche bearbeitet werden. Das Gerät ist mit Röntgendetektor und Nanomanipulator zur TEM Lamellen Präparation sowie Gasinjektionssystemen zur Metallabscheidung ausgestattet.
Die Feldemissions-Elektronensäule ist mit In-Lens Detektoren für hochauflösende Abbildungen ausgestattet.
Ansprechperson
Dipl.Ing. Andreas Steiger-Thirsfeld
Research Services
Die Forschungs-Facility USTEM ist die zentrale Einrichtung der TU Wien für analytische und hochauflösende elektronenmikroskopische Untersuchungen.
USTEM unterstützt Angehörige der TU Wien oder von anderen Forschungseinrichtungen bei der Durchführung von Projekten im Rahmen der Forschungsförderung oder Auftragsforschung und bietet Dienstleistungen für Firmen oder externen Kunden mit Operatorunterstützung.
Die Schwerpunkte von USTEM sind Transmissionselektronenmikroskopie (TEM), Rasterelektronenmikroskopie (SEM) und Focused Ion Beam (FIB) Anwendungen.
Spezielle Services an der ThermoFisher SCIOS 2:
- Hochauflösende Abbildungen
- Chemische Nanoanalytik (100 µm - 10 nm)
- Strukturanalyse bis in den nm-Bereich
- 3D Tomographie
- Zielpräparation für die Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) mit nm-Präzision
- 3D in-situ Analyse von Defekten oder Testbereichen in Metallen, Halbleitern und Keramiken
- Präparation und Analyse von porösen Materialien
- Defect repair in Halbleiterstrukturen
- Nanomachining: Aufbau von Strukturen im Nanometerbereich durch Abscheidung von Material aus der Gasphase im Ionen- oder Elektronenstrahl
- Nanostrukturierung: z.B. Herstellung von Cantilevers, Pillars etc. für mechanical testing mittels Picoindenter
Methoden & Expertise zur Forschungsinfrastruktur
Die SCIOS2 Dualbeam FIB ist ein spezielles hochauflösendes analytisches Feldemissionsrasterelektronenmikroskop (FEGSEM) mit einer zusätzlichen Ga-Ionenquelle. In-Lens Elektronendetektoren ermöglichen kontrastreiche Abbildungen bei unterschiedlichsten Beschleunigungsspannungen. Der fokussierte Ga-Ionenstrahl ermöglicht die Bearbeitung von Probenoberflächen wie: Querschnittspräparationen, TEM Lamellen Erzeugung, 3D Charakterisierung (imaging und chemical mapping) oder Oberflächenstrukturierung durch Metallabscheidungen.